GaAs Substrat
Beschreiwung
Gallium Arsenid (GaAs) ass e wichtegen a reife Grupp III-Ⅴ Compound Semiconductor, et ass wäit am Beräich vun der Optoelektronik a Mikroelektronik benotzt.GaAs ass haaptsächlech an zwou Kategorien opgedeelt: semi-isoléierend GaAs an N-Typ GaAs.Déi semi-isoléierend GaAs gëtt haaptsächlech benotzt fir integréiert Kreesleef mat MESFET, HEMT an HBT Strukturen ze maachen, déi a Radar, Mikrowellen a Millimeterwellenkommunikatioun, Ultra-High-Speed-Computer an optesch Glasfaserkommunikatioun benotzt ginn.Den N-Typ GaAs gëtt haaptsächlech an LD, LED, no Infrarout Laser, Quantewell High-Power Laser an héicheffizient Solarzellen benotzt.
Eegeschaften
| Kristall | Dotéiert | Leedung Typ | Konzentratioun vu Flëss cm-3 | Dicht cm-2 | Wuesstem Method |
| GaAs | Keen | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | > 5 × 1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | > 5 × 1017 |
GaAs Substrat Definitioun
De GaAs Substrat bezitt sech op e Substrat aus Galliumarsenid (GaAs) Kristallmaterial.GaAs ass e Verbindungshalbleiter besteet aus Gallium (Ga) an Arsen (As) Elementer.
GaAs Substrate ginn dacks an de Felder vun der Elektronik an der Optoelektronik benotzt wéinst hiren exzellenten Eegeschaften.E puer Schlësseleigenschaften vu GaAs Substrate enthalen:
1. Héich Elektronemobilitéit: GaAs huet méi héich Elektronenmobilitéit wéi aner gemeinsam Halbleitermaterialien wéi Silizium (Si).Dës Charakteristik mécht de GaAs Substrat gëeegent fir héichfrequenz High-Power elektronesch Ausrüstung.
2. Direkte Band Spalt: GaAs huet eng direkt Band Spalt, dat heescht, datt efficace Liichtjoer Emissioun geschéie kann wann Elektronen a Lächer recombine.Dës Charakteristik mécht GaAs Substrate ideal fir optoelektronesch Uwendungen wéi Liichtemittéierdioden (LEDs) a Laser.
3. Wide Bandgap: GaAs huet e méi breet Bandgap wéi Silizium, wat et erméiglecht, bei méi héijen Temperaturen ze bedreiwen.Dëse Besëtz erlaabt GaAs-baséiert Apparater méi effizient an héich Temperaturen Ëmfeld ze bedreiwen.
4. Niddereg Kaméidi: GaAs Substrate weisen niddereg Kaméidiniveauen, sou datt se gëeegent sinn fir niddereg Kaméidi Verstärker an aner sensibel elektronesch Uwendungen.
GaAs Substrate gi wäit an elektroneschen an optoelektroneschen Apparater benotzt, dorënner Héichgeschwindeg Transistoren, Mikrowellen integréiert Circuiten (ICs), Photovoltaikzellen, Photon Detektoren a Solarzellen.
Dës Substrate kënne mat verschiddenen Technike virbereet ginn wéi Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE) oder Liquid Phase Epitaxy (LPE).Déi spezifesch Wuesstumsmethod déi benotzt gëtt hänkt vun der gewënschter Applikatioun an de Qualitéitsufuerderunge vum GaAs-Substrat of.
