Ge Substrat
Beschreiwung
Ge Single Kristall ass excellent semiconductor fir Infraroutstrahlung an IC Industrie.
Eegeschaften
| Wuesstem Method | Czochralski Method | ||
| Kristallstruktur | M3 | ||
| Eenheet Zell Konstant | a=5,65754 Å | ||
| Dicht (g/cm)3) | 5.323 | ||
| Schmelzpunkt (℃) | 937,4 | ||
| Dotéiert Material | Nee dotéiert | Sb-dotéiert | In / Ga -dotéiert |
| Typ | / | N | P |
| Resistivitéit | ~35 Ω cm | 0,05 Ωcm | 0,05 ~ 0,1 Ωcm |
| EPD | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 |
| Gréisst | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, | ||
| Ø 2" x 0,33 mm Ø 2" x 0,43 mm 15 x 15 mm | |||
| Dicke | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Poléieren | Eenzel oder duebel | ||
| Crystal Orientatioun | <100>, <110>, <111>, ± 0,5º | ||
| Ra | ≤5Å (5µm × 5µm) | ||
D'Ge Substrat Definitioun
De Ge Substrat bezitt sech op e Substrat aus Element Germanium (Ge).Germanium ass e Hallefleitmaterial mat eenzegaartegen elektroneschen Eegeschaften, déi et fir eng Vielfalt vun elektroneschen an optoelektroneschen Uwendungen gëeegent maachen.
Ge Substrate ginn allgemeng an der Fabrikatioun vun elektroneschen Apparater benotzt, besonnesch am Beräich vun der Hallefleittechnologie.Si ginn als Basismaterialien benotzt fir dënn Filmer an epitaxial Schichten vun aneren Hallefleit wéi Silizium (Si) ze deposéieren.Ge Substrate kënne benotzt ginn fir Heterostrukturen a komponéiert Hallefleitschichten mat spezifesche Eegeschafte fir Uwendungen wéi Héichgeschwindeg Transistoren, Photodetektoren a Solarzellen ze wuessen.
Germanium gëtt och an der Photonik an der Optoelektronik benotzt, wou et als Substrat benotzt ka ginn fir Infrarout (IR) Detektoren a Lënsen ze wuessen.Ge Substrater hunn Eegeschafte fir Infraroutapplikatiounen erfuerderlech, sou wéi eng breet Transmissiounsberäich an der Mëtt-Infraroutregioun an exzellent mechanesch Eegeschafte bei niddregen Temperaturen.
Ge Substrater hunn eng enk passend Gitterstruktur zum Silizium, sou datt se kompatibel sinn fir Integratioun mat Si-baséiert Elektronik.Dës Kompatibilitéit erlaabt d'Fabrikatioun vun Hybridstrukturen an d'Entwécklung vu fortgeschratt elektroneschen a photoneschen Apparater.
Zesummegefaasst bezitt e Ge Substrat op e Substrat aus Germanium, e Hallefleitmaterial dat an elektroneschen an optoelektroneschen Uwendungen benotzt gëtt.Et déngt als Plattform fir de Wuesstum vun anere Hallefleitmaterialien, wat d'Fabrikatioun vu verschiddenen Apparater an de Beräicher vun Elektronik, Optoelektronik a Photonik erméiglecht.
