LiAlO2 Substrat

De LiAlO2 Substrat bezitt sech op e Substrat aus Lithium Aluminiumoxid (LiAlO2).LiAlO2 ass eng kristallin Verbindung déi zu der Raumgrupp R3m gehéiert an huet eng dräieckeg Kristallstruktur.

LiAlO2 Substrater goufen a ville Applikatiounen benotzt, dorënner dënnem Filmwachstum, epitaxial Schichten, an Heterostrukture fir elektronesch, optoelektronesch a photonesch Geräter.Wéinst senge exzellente kierperlechen a chemeschen Eegeschaften ass et besonnesch gëeegent fir d'Entwécklung vu breet Bandgap Hallefleitgeräter.

Eng vun den Haaptapplikatioune vu LiAlO2 Substrate ass am Feld vu Gallium Nitride (GaN) baséiert Apparater wéi High Electron Mobility Transistors (HEMTs) a Light Emitting Diodes (LEDs).D'Gitter Mësshandlung tëscht LiAlO2 a GaN ass relativ kleng, wat et e gëeegent Substrat mécht fir epitaxial Wuesstum vu GaN dënnem Filmer.De LiAlO2 Substrat bitt eng héichqualitativ Schabloun fir GaN Oflagerung, wat zu enger verbesserter Geräterleistung an Zouverlässegkeet resultéiert.

LiAlO2 Substrate ginn och an anere Beräicher benotzt wéi de Wuesstum vu ferroelektresche Materialien fir Erënnerungsapparater, d'Entwécklung vu piezoelektreschen Apparater, an d'Fabrikatioun vu Solid-State Batterien.Hir eenzegaarteg Eegeschafte, wéi héich thermesch Konduktivitéit, gutt mechanesch Stabilitéit, an niddreg dielektresch Konstant, ginn hinnen Virdeeler an dësen Uwendungen.

Zesummegefaasst bezitt de LiAlO2 Substrat op e Substrat aus Lithium Aluminiumoxid.LiAlO2 Substrate ginn a verschiddenen Uwendungen benotzt, besonnesch fir de Wuesstum vu GaN-baséiert Geräter, an d'Entwécklung vun aneren elektroneschen, optoelektroneschen a photoneschen Apparater.Si besëtzen wënschenswäert physesch a chemesch Eegeschaften, déi se gëeegent maachen fir d'Oflagerung vun dënnen Filmer an Heterostrukturen an d'Performance vum Apparat ze verbesseren.