SiC Substrat
Beschreiwung
Silicon Carbide (SiC) ass eng binär Verbindung vun der Grupp IV-IV, et ass déi eenzeg stabil zolidd Verbindung an der Grupp IV vum Periodic Table, Et ass e wichtege Hallefleit.SiC huet exzellent thermesch, mechanesch, chemesch an elektresch Eegeschaften, déi et als ee vun de beschten Materialien maachen fir Héichtemperatur-, Héichfrequenz- a High-Power elektronesch Geräter ze maachen, de SiC kann och als Substratmaterial benotzt ginn fir GaN-baséiert blo Liichtdioden.Am Moment ass 4H-SiC den Mainstream Produkter um Maart, an d'Konduktivitéitstyp ass an hallefisoléierend Typ an N Typ opgedeelt.
Eegeschaften
| Artikel | 2 Zoll 4H N-Typ | ||
| Duerchmiesser | 2 Zoll (50,8 mm) | ||
| Dicke | 350+/-25 um | ||
| Orientéierung | aus der Achs 4.0˚ Richtung <1120> ± 0.5˚ | ||
| Primär flaach Orientéierung | <1-100> ± 5° | ||
| Secondaire Flat Orientéierung | 90.0˚ CW vun der Primärfläch ± 5.0˚, Si Gesiicht erop | ||
| Primär flaach Längt | 16 ± 2,0 | ||
| Sekundär flaach Längt | 8 ± 2,0 | ||
| Grad | Produktiounsgrad (P) | Fuerschungsgrad (R) | Dummy Grad (D) |
| Resistivitéit | 0,015 ~ 0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Mikropipe Dicht | ≤ 1 Mikropipes/cm² | ≤ 10 Mikropipes/cm² | ≤ 30 Mikropipes/cm² |
| Uewerfläch Roughness | Si Gesiicht CMP Ra <0.5nm, C Gesiicht Ra <1 nm | N/A, benotzbar Beräich > 75% | |
| TTV | < 8 um | < 10 um | < 15 um |
| Béi | < ± 8 um | < ± 10 um | < ± 15 um |
| Warp | < 15 um | < 20 um | <25 um |
| Rëss | Keen | Kumulativ Längt ≤ 3 mm | Kumulativ Längt ≤10mm, |
| Kratzer | ≤ 3 Kratzer, kumulativ | ≤ 5 Kratzer, kumulativ | ≤ 10 Kratzer, kumulativ |
| Hex Placke | maximal 6 Platen, | maximal 12 Placke, | N/A, benotzbar Beräich > 75% |
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulativ Fläch ≤ 5% | Kumulativ Fläch ≤ 10% |
| Kontaminatioun | Keen | ||
