PMN-PT Substrat
Beschreiwung
PMN-PT Kristall ass bekannt fir seng extrem héich elektromechanesch Kopplungskoeffizient, héije piezoelektresche Koeffizient, héich Belaaschtung an nidderegen dielektresche Verloscht.
Eegeschaften
| Chemesch Zesummesetzung | (PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Struktur | R3m, Rhombohedral |
| Gitter | a0 ~ 4.024Å |
| Schmelzpunkt (℃) | 1280 |
| Dicht (g/cm3) | 8.1 |
| Piezoelektresche Koeffizient d33 | >2000 pC/N |
| Dielectric Verloscht | an <0,9 |
| Zesummesetzung | no bei der morphotropescher Phasegrenz |
PMN-PT Substrat Definitioun
PMN-PT Substrat bezitt sech op en dënnen Film oder Wafer aus piezoelektrescht Material PMN-PT.Et déngt als ënnerstëtzend Basis oder Fondatioun fir verschidden elektronesch oder optoelektronesch Geräter.
Am Kontext vu PMN-PT ass e Substrat typesch eng flaach steiwe Uewerfläch, op där dënn Schichten oder Strukture kënne wuessen oder deposéiert ginn.PMN-PT Substrater ginn allgemeng benotzt fir Geräter ze fabrizéieren wéi piezoelektresch Sensoren, Aktuatoren, Transducer, an Energie Ernte.
Dës Substrate bidden eng stabil Plattform fir de Wuesstum oder Oflagerung vun zousätzlech Schichten oder Strukturen, wat et erlaabt datt d'piezoelektresch Eegeschafte vu PMN-PT an Apparater integréiert ginn.Dënn-Film oder Wafer Form vu PMN-PT Substrate kënne kompakt an effizient Geräter kreéieren déi vun den exzellente piezoelektreschen Eegeschafte vum Material profitéieren.
Zesummenhang Produkter
Héich Gitter Matching bezitt sech op d'Ausrichtung oder Matching vu Gitterstrukturen tëscht zwee verschiddene Materialien.Am Kontext vun MCT (Quecksilber Cadmium Telluride) Hallefleit, héich Gitter Matching ass wënschenswäert well et de Wuesstem vun héichwäerteg, defekt-gratis epitaxial Schichten erlaabt.
MCT ass e Compound Halbleitermaterial dat allgemeng an Infraroutdetektoren an Imaging Geräter benotzt gëtt.Fir d'Performance vum Apparat ze maximéieren, ass et kritesch fir MCT epitaxial Schichten ze wuessen déi enk mat der Gitterstruktur vum ënnerierdesche Substratmaterial passen (typesch CdZnTe oder GaAs).
Duerch d'Erreeche vun héije Gittermatchung gëtt d'Kristallausrichtung tëscht Schichten verbessert, an d'Mängel an d'Belaaschtung op der Interface ginn reduzéiert.Dëst féiert zu enger besserer kristalliner Qualitéit, verbesserte elektreschen an opteschen Eegeschaften, a verbesserte Geräterleistung.
Héich Gitter Matching ass wichteg fir Uwendungen wéi Infrarout Imaging a Sensing, wou souguer kleng Mängel oder Mängel d'Apparatleistung degradéiere kënnen, Faktore wéi Empfindlechkeet, raimlech Opléisung a Signal-to-Geräusch Verhältnis beaflossen.
